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在芯片创建之前将它们“添加”到设计程序中，或者在制造后设计到芯片中的备用芯片：芯片制作完成后就不可以添加了。但是，如果你问如何从空白芯片中创建晶体管，则该过程称为光刻。我将尽可能简化该过程。 首先，从长圆柱体上切割出“空白”的硅晶圆。

然后晶圆进行一系列的光刻步骤。硅片放在真空腔中的热板上，热板温度控制在200 ℃ ～250℃，用N2携带HMDS（六甲基二硅胺烷）进入真空腔，处理时间60秒。这样在硅片上形成了底膜。 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。然后将光刻胶滴在硅片上，以转速500rpm～700rpm匀胶，以转速 3000rpm-5000rpm旋转。 在温度为100℃的热板上烘60秒。

从气相成底膜到软烘都在自动涂胶/显影系统（也称为涂胶/显影轨道）上进行。将掩膜板上的图形通过镜头，由紫外线传递到硅片表面光刻胶膜上,形成光敏感物质在空间的精确分布，完成对准和曝光工艺。 再在温度为110℃的热板烘60秒。 2.38% 的四甲基氢氧化铵TMAH 喷淋显影，转速1000rpm～1500rpm；去离子水喷淋定影，转速 1000rpm～1500rpm；原位旋转甩干。 最后在温度为140℃的热板烘60秒。

该n阱将是该过程的第一道工序：对于典型的硅制备过程，需要沉积磷。p +（硼）和n +部分（更多的磷）将在随后的单独步骤中完成。 一旦完成沉积，硅将被沉积在NPN或PNP结的顶部，形成所谓的栅极。那就是晶体管的开关：向栅极施加电压会导致电流流动或不流动。 此时晶体管已经成功，但是在它们以定义的方式连接在一起之前是没有用的。通过沉积硅和金属线来完成逻辑设计，然后再进行更多步骤来对其进行封装并获得完整的产品 值得注意的是： (1)如今，制作掩模版通常是该过程中最昂贵的部分：数百万美元。 (2)在实验室里用的光刻胶，它的工作原理导致了睾丸癌。不要徒手触摸。 (3)在潮湿的实验室里，最危险的化学品不是光刻胶，而是氢氟酸。蚀刻(去除)硅是必要的，但如果你把其溅到身上，也会对人体造成非常严重的伤害。