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Lam Research21Q3业绩点评及电话会议纪要

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概述

2021年10月26日发布

技术差异化创新,新型刻蚀、薄膜沉积、镀铜技术开发助力客户制程进步并提升自身市场份额

Lam Research在2021Q3业绩说明会上表明,Q3营收43亿美元,环比增长4%,同比增长35%。实现EPS高于前期指引区间中位,已经是连续第6个季度实现营收和EPS的环比增长。存储客户销售占系统产品收入的64%,比Q2的59%要高,增长主要受DRAM领域的1-z和1-alpha节点的投资所驱动,预料2021全年WFE支出将达到850亿美元左右。2021下半年的WFE支出比上半年表现更积极,主要受DRAM和晶圆代工/逻辑等需求驱动。WFE增长态势有望持续至2022年。

会议核心内容

所有领域的半导体需求都很强劲,今年全球WFE市场规模预期再次提高至850亿美元。LamResearch对2021年全球WFE市场规模,从年初给出的预期750亿美元,到年中提升至800亿美元,目前公司再次将WFE全年预期提高至850亿美元,并且认为2021年的结束将伴随着大量未得到满足的设备需求。进入2022年、2023年也会伴随着众多刺激行业的有利因素,不仅刺激了需求端,还刺激了供给端,如资本密度提升、不同的器件结构、新工艺以应对更复杂的结构等,因而2022年客户需求要比往常更加旺盛。

差异化的技术创新抢占先进制程中的市场份额。(1)3DNand:LamResearch开发一种新型高产能的低温刻蚀解决方案,使得在大于200层的高深宽比NAND器件中提高了刻蚀速率。目前已经在各主流3DNand厂商中安装了这个新技术以进行验证。(2)逻辑/代工:针对5nm以下器件结构创新和尺寸微缩,LamResearch将优先发展增长最快和需求最大的三个领域的技术,即支持EUV光刻的沉积和刻蚀工艺、帮助形成关键晶体管的新型脉冲等离子刻蚀工艺,以及协助接触节点电阻RC管理的新材料和沉积工艺(StrikerALD)。(3)铜金属化:SABRE3D解决方案通过采用一种创新的、先进的预处理技术实现无空洞充填,并且公司的高通量电镀工艺使客户降低使用设备的成本。

单季度逻辑代工客户贡献的收入创新高,主要是公司新型刻蚀、沉积等设备的开发成功。公司针对GAA等新型器件结构开发了新的设备应用,如选择性刻蚀技术,带来了新的市场机遇,也帮助公司赢得了市场份额。Foundry/Logic的发展速度不比存储的要慢公司前期新产品研发努力的成果开始在实际业务中成效。

未来5年Nand资本密度要比过去5年要高。随着3DNand层数的增加,资本密集度的提升是非线性增长的,所以刻蚀一个双层堆栈可能需要2倍以上的时间。薄膜沉积方面,当堆栈层数上升时,晶圆压力和凹槽都会成为更大的挑战,所以必须要增加额外的工序,比如使用Lam的压力管理沉积设备,这些额外的工序会导致更多Nand的bit的WFE支出。

DRAM立体化还处于早期阶段。任何三维空间结构转换都需要大量的蚀刻和薄膜沉积设备来制造,对Lam来说是一个很好的市场机遇,但现在正处于发展这些结构和材料的早期阶段。

中国大陆地区是公司收入的第一大来源。第三季度中国大陆客户贡献的收入比例达到37%,其中来自中国本土客户和在中国拥有晶圆厂的跨国客户的销售收入在Q3再次两者取得均衡。预计Q4营收来自中国大陆地区客户的比例将降低,但没有看到有客户在改变产能规划。

投资建议

产业转移、设备国产化、行业高景气度等因素叠加,继续强烈推荐半导体设备板块推荐组合:中微公司、北方华创、万业企业、精测电子、芯源微、长川科技、华峰测控等。

评级面临的主要风险

地缘政治摩擦的不确定;零部件供应链安全的不确定。

理工酷提示:

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